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SI7913DN-T1-E3中文资料

SI7913DN-T1-E3图片

SI7913DN-T1-E3外观图

  • 大小：540KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
  • 数据列表：SI7913DN
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：2 个 P 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：24nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：1.3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双
  • 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI7913DN-T1-E3TR

SI7913DN-T1-E3供应商

更新时间:2022-12-30 23:43:06
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